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【图文导读】图一(Sb4S6)n晶体在TiO2上的典型异质生长示意图(a)TiO2纳米颗粒基底上的[hk0]取向Sb2S3，电力不利于载流子传输和分离。此外Sb2S3薄膜表面经由沉积方法的进一步调控，交易可实现更有效的织构型光俘获微结构。

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华中科技大学的邓辉、交易MuhammadIshaq博士和澳大利亚新南威尔士大学的曾溢宇博士为论文的共同第一作者，交易华中科技大学宋海胜和澳大利亚新南威尔士大学的HaoXiaojing教授为论文的共同通讯作者。

【小结】研究人员通过TiO2薄膜热处理制度调控，中心实现了Sb2S3薄膜基于TiO2基底的准外延生长，中心进而有效抑制了界面及薄膜内部载流子复合，开路电压由0.49V提高至0.65V。b）当周围环境温度为288K时，每日具有不同施加温度的开路电压和输出功率密度。

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